金融界2024年4月29日消息，據(jù)國家知識產(chǎn)權(quán)局公告，揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司取得一項(xiàng)名為“一種點(diǎn)狀殘留改善方法“，授權(quán)公告號CN112582263B，申請日期為2019年9月。

專利摘要顯示，一種顆粒機(jī)點(diǎn)狀殘留改善方法。涉及一種半導(dǎo)體制造技術(shù)分立器件制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種點(diǎn)狀殘留改善方法。提供了一種操作方便，可有效避免氧化層或顆粒影響的晶片刻蝕殘留方法。本發(fā)明中晶圓傳送到位后，Gap調(diào)整穩(wěn)定至0顆粒機(jī).9cm；腔體內(nèi)壓力保持在650mt，通過200sccm的CF4，250W功率運(yùn)行BT步35s，刻蝕Wafer表面自然氧化層；在保證BT Step刻蝕速率的前提下，調(diào)整BT Step Gap（穿通刻蝕顆粒機(jī)步驟硅片與上電極之間的間隙）與ME Step Gap（主刻蝕步驟硅片與上電極之間的間隙）一致，避免上電極往下運(yùn)動過程中在Wafer（硅片）表面引入缺陷，從而改善Poly（多晶硅）點(diǎn)狀殘留，提高產(chǎn)品良率顆粒機(jī)。

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